198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QPD2796

QPD2796
  • Производитель: Qorvo
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 20 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Выходная мощность 200 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI400-2
  • Упаковка Tray