Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN SiC
- Усиление 20 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 200 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI400-2
- Упаковка Tray
