198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

QPD1881L

QPD1881L
  • Производитель: Qorvo
  • Описание:РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
Запрос:
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 21.2 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 145 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 7 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 13 A
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 237 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI780-2
  • Упаковка -