Технические характеристики
- Тип транзистора -
- Технология GaN
- Усиление 21.7 dB
- Полярность транзистора -
- Vds - напряжение пробоя сток-исток -
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
- Id - непрерывный ток утечки -
- Выходная мощность 45 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура -
- Pd - рассеивание мощности 45 W
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок QFN-20
- Упаковка Cut Tape, Reel
