MT3S113TU,LF
- Производитель: Toshiba
- Описание:РЧ биполярные транзисторы RF Bipolar Transistor .1A 900mW
Запрос:
Технические характеристики
- Серия MT3S113TU
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe200
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 5.3 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) 0.6 V
- Непрерывный коллекторный ток 100 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Конфигурация Single
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок UFM-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
