198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BFR 35AP E6327

BFR 35AP E6327
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Описание:РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия BFR35
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 15 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2.5 V
  • Непрерывный коллекторный ток -
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT-23
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel