BFR843EL3E6327XTSA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Описание:РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Запрос:
Технические характеристики
- Серия -
- Тип транзистора Bipolar
- Технология SiGe
- Полярность транзистора NPN
- Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe230
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 2.25 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO) -
- Непрерывный коллекторный ток 55 mA
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура -
- Конфигурация -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок TSLP-3
- Квалификация -
- Упаковка Cut Tape, Reel
