198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BFU580QX

BFU580QX
  • Производитель: NXP Semiconductors
  • Описание:РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип транзистора Bipolar Wideband
  • Технология Si
  • Полярность транзистора NPN
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe60
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 16 V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 2 V
  • Непрерывный коллекторный ток 30 mA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOT89-3
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, Reel