198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

BFP 640FESD H6327

BFP 640FESD H6327
  • Производитель: Infineon Technologies
  • Описание:РЧ биполярные транзисторы RF BI
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия BFP640
  • Тип транзистора Bipolar
  • Технология SiGe
  • Полярность транзистора -
  • Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe-
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. -
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO) 4.8 V
  • Непрерывный коллекторный ток 50 mA
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Конфигурация -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок TSFP-4-1
  • Квалификация -
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel