Технические характеристики
- Упаковка / блок DIP-4
- Тип выхода NPN Phototransistor
- Количество каналов 1 Channel
- If - прямой ток 30 mA
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 70 V
- Максимальный коллекторный ток 30 mA
- Напряжение изоляции 5000 Vrms
- Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
- Vf - прямое напряжение 1.4 V
- Vr - обратное напряжение 6 V
- Pd - рассеивание мощности 150 mW
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Серия -
- Упаковка Tube
