1N5229B A0G
- Производитель: Taiwan Semiconductor
- Описание:Стабилитроны DO-35, 500mW, 5% Sm Signal Znr Diode
Запрос:
Технические характеристики
- Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 4.3 V
- Вид монтажа Through Hole
- Упаковка / блок DO-35-2
- Pd - рассеивание мощности 500 mW
- Допустимое отклонение напряжения 5 %
- Температурный коэффициент напряжения -
- Зенеровский ток 20 mA
- Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 22 Ohms
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Конфигурация Single
- Ток испытаний 20 mA
- Квалификация -
- Упаковка -
- Серия 1N5229B
