198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

1M200Z R1G

1M200Z R1G
  • Производитель: Taiwan Semiconductor
  • Описание:Стабилитроны DO-204AL (DO-41) 1000mW 5% Znr Dio
Запрос:
Технические характеристики
  • Vz - напряжение туннельного пробоя p-n-перехода 200 V
  • Вид монтажа Through Hole
  • Упаковка / блок DO-41-2
  • Pd - рассеивание мощности 1 W
  • Допустимое отклонение напряжения 5 %
  • Температурный коэффициент напряжения -
  • Зенеровский ток 5 uA
  • Zz - полное сопротивление диода при лавинном пробое 1500 Ohms
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Конфигурация Single
  • Ток испытаний 1.2 mA
  • Квалификация -
  • Упаковка -
  • Серия 1M200Z