198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

NCV20092DR2G

NCV20092DR2G
  • Производитель: ON Semiconductor
  • Описание:Операционные усилители R2R IO DUAL AMPLIFIE
  • Документация: Datasheet
Запрос:
Технические характеристики
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SOIC-8
  • Напряжение питания - макс. 5.5 V
  • Выходной ток на канал 8.5 mA
  • Количество каналов 2 Channel
  • GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропус350 kHz
  • SR - скорость нарастания выходного напряжения 0.15 V/us
  • CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала 79 dB
  • Ib - Входной ток смещения 1500 pA
  • Vos - Входное напряжение смещения нуля 0.5 mV
  • Напряжение питания - мин. 1.8 V
  • Рабочий ток источника питания 23 uA
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 125 C
  • Отключение No Shutdown
  • Серия -
  • Квалификация AEC-Q100
  • Упаковка Reel