QSB363GR
- Производитель: ON Semiconductor / Fairchild
- Описание:Фототранзисторы Phototransistor Si Infrared
Запрос:
Технические характеристики
- Продукт -
- Упаковка / блок T-3/4
- Вид монтажа -
- Пиковая длина волны 940 nm
- Рабочее напряжение питания 5 V
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер -
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер -
- Темновой ток 100 nA
- Время нарастания 15 us
- Время спада 15 us
- Pd - рассеивание мощности 75 mW
- Минимальная рабочая температура - 25 C
- Максимальная рабочая температура + 85 C
- Серия QSB363
