Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок -
- Вид монтажа Through Hole
- Пиковая длина волны 850 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 32 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 32 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
- Темновой ток 50 nA
- Время нарастания -
- Время спада -
- Pd - рассеивание мощности 70 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 80 C
- Серия -
