Технические характеристики
- Продукт Phototransistors
- Упаковка / блок T-1-2
- Вид монтажа Through Hole
- Пиковая длина волны 935 nm
- Рабочее напряжение питания -
- Максимальный ток коллектора во включенном состоянии -
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
- Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
- Темновой ток 100 nA
- Время нарастания -
- Время спада -
- Pd - рассеивание мощности 100 mW
- Минимальная рабочая температура - 40 C
- Максимальная рабочая температура + 100 C
- Серия -
