198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

1N6471US

1N6471US
  • Производитель: Microchip / Microsemi
  • Описание:Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения TVS
Запрос:
Технические характеристики
  • Серия -
  • Тип продукта TVS Diodes
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте -
  • Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазо-
  • Полярность Unidirectional
  • Количество каналов -
  • Тип выводов SMD/SMT
  • Напряжение пробоя 13.6 V
  • Рабочее напряжение 12 V
  • Напряжение фиксации 22.6 V
  • Iпи - пиковый импульсный ток 374 A
  • Cd - емкость диода -
  • Упаковка / блок D-5C-2
  • Pppm - пиковое рассеивание мощности 1.5 kW
  • Pd - рассеивание мощности 3 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 175 C
  • Квалификация -
  • Упаковка Bulk