198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
AFGB30T65SQDN ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FS4 IGBT TO263 A Заказать
AFGB40T65SQDN ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FS4 IGBT Заказать
AFGHL40T65SPD ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 40A 65 Заказать
AFGHL50T65SQDC ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD Заказать
FGAF40S65AQ ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 SA IGBT Заказать
FGB3040G2-F085C ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT Заказать
FGD1240G2 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT Заказать
FGD3040G2-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 Заказать
FGD3040G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 300MJ, 400V, N- Заказать
FGD3050G2 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 500V 27A 1.3V 300mJ Заказать
FGD3050G2V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 500V 27A 1.3V 300mJ Заказать
FGD3245G2-F085C ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252 Заказать
FGD3245G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT N-Channel Ignition 1.3V 320mJ Заказать
FGD3325G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N Заказать
FGD3440G2-F085V ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 400V 25A 1.30V 335mJ Заказать
FGH40T120SQDNL4 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A UFS Заказать
FGH40T65SQD-F155 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT Заказать
FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A FS4 TRENCH Заказать
FGH75T65SHDTLN4 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 75A 65 Заказать
FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75 FAST IGBT Заказать
FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT Заказать
FGHL40S65UQ ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 650 V, 40 A Заказать
FGHL50T65SQ ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4TIGBT 50A 650V Заказать
FGY100T65SCDT ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 100A 650V Заказать