Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [1]

Производитель

Технология

Упаковка / блок

Вид монтажа

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Pd - рассеивание мощности

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Серия

Квалификация

Упаковка

Фото	Партномер	Производитель	Datasheet	Описание	Заказать
	GN2470K4-G	Microchip Technology		Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 700V 3.5A IGBT	Заказать

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)