198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
DGTD120T25S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K Заказать
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K Заказать
DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X Заказать
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Заказать
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X Заказать
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Заказать
DGTD65T60S2PT Diodes Incorporated Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K Заказать