198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
FAM65V05DF1 ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HEV Automotive Power Modules Заказать
FNE41060 ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 10A SPM45 FAST VERSN WITHOUT NTC FUNCTION Заказать
FPF2C8P2NL07A ON Semiconductor / Fairchild
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A Заказать
FPF2G120BF07AS ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module Заказать
FPF2G120BF07ASP ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module Заказать
FSAM75SM60A ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V -75A SMART POWER MODULE Заказать