Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [1]

Производитель

Технология

Продукт

Конфигурация

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

Ток утечки затвор-эмиттер

Pd - рассеивание мощности

Упаковка / блок

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Квалификация

Упаковка

Фото	Партномер	Производитель	Datasheet	Описание	Заказать
	GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor		Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A SIC IGBT CoPak	Заказать

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)