198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
BF510,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом TAPE7 FET-RFSS Заказать
BF861B,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10MA Заказать
BF861B,235 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 15mA Заказать
BF861C,215 NXP Semiconductors
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом JFET N-CH 25V 10mA Заказать
BFR31,235 NXP Semiconductors РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом N-Channel Single '+/- 25V 5mA Заказать