198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

Дискретные полупроводниковые модули

Производитель
Продукт
Тип
Vf - прямое напряжение
Vr - обратное напряжение
Vgs - напряжение затвор-исток
Вид монтажа
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
BSM080D12P2C008 ROHM Semiconductor Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V Заказать
BSM120D12P2C005 ROHM Semiconductor Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 120A (w/ Diode) Заказать
BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor Дискретные полупроводниковые модули 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 Заказать
BSM180D12P2C101 ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode) Заказать
BSM180D12P3C007 ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD Заказать
BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module Заказать
BSM300D12P2E001 ROHM Semiconductor Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module Заказать
BSM400C12P3G202 ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули 1200V Vdss; 358A ID SiC Mod; SICSTD02 Заказать
BSM600C12P3G201 ROHM Semiconductor
Дискретные полупроводниковые модули 1200V Vdss; 576A ID SiC Mod; SICSTD02 Заказать