IXGH28N60B3D1
- Производитель: IXYS
- Описание:Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V
Запрос:
Технические характеристики
- Технология Si
- Упаковка / блок TO-247AD-3
- Вид монтажа Through Hole
- Конфигурация Single
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер -
- Непрерывный коллекторный ток при 25 C 66 A
- Pd - рассеивание мощности 190 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Серия IXGH28N60
- Квалификация -
- Упаковка Tube
