198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

МОП-транзистор

Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Количество каналов
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Id - непрерывный ток утечки
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
Vgs - напряжение затвор-исток
Qg - заряд затвора
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Конфигурация
Канальный режим
Квалификация
Коммерческое обозначение
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
IRF630 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 200 Volt 10 Amp Заказать
PD57018S-E STMicroelectronics МОП-транзистор 8 BITS MICROCONTR Заказать
SCT10N120 STMicroelectronics МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package Заказать
SCT10N120H STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCT20N120 STMicroelectronics
МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор Заказать
SCT20N120H STMicroelectronics
МОП-транзистор Заказать
SCT30N120 STMicroelectronics
МОП-транзистор 1200V silicon carbide МОП-транзистор Заказать
SCT30N120D2 STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCT30N120H STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCT50N120 STMicroelectronics
МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package Заказать
SCTH50N120-7 STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an H2PAK-7 package Заказать
SCTW90N65G2V STMicroelectronics МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 650 V, 90 A, 22 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package Заказать
SCTWA10N120 STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCTWA20N120 STMicroelectronics МОП-транзистор Заказать
SCTWA30N120 STMicroelectronics
МОП-транзистор Заказать
SCTWA50N120 STMicroelectronics МОП-транзистор Silicon carbide Power МОП-транзистор 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package Заказать
STB100N10F7 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET Заказать
STB100N6F7 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power МОП-транзистор in a D2PAK package Заказать
STB100NF04T4 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 40 Volt 120 Amp Заказать
STB10LN80K5 STMicroelectronics МОП-транзистор N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a D2PAK package Заказать
STB10N60M2 STMicroelectronics МОП-транзистор N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A Заказать
STB10N95K5 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in D2PAK package Заказать
STB10NK60ZT4 STMicroelectronics
МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH Заказать