198099, г. Санкт-Петербург, ул. Калинина, дом 2, корпус 4, литера А
с 9:00 до 18:00 (пн-пт)
8 (812) 309-75-97

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказать
CE3512K2 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C Заказать
CE3512K2-C1 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C Заказать
CE3514M4 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C Заказать
CE3520K3 CEL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C Заказать
CE3520K3-C1 CEL РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C Заказать
CE3521M4 CEL
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C Заказать